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GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다.

GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다.

  • GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다.
GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다.
제품 상세 정보:
원래 장소: 미국
브랜드 이름: GE
인증: Does not supply
모델 번호: IC660TSD100
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: 협상 가능
포장 세부 사항: 원본 상자에 새 것
배달 시간: 5-8작품
지불 조건: T/T
공급 능력: 100
접촉
상세 제품 설명
부분 이름: IC660TSD100 Sku: IC660TSD100
제조사: GE 파눅 종류: 단자판
작동 온도: 32 내지 140 화씨도 저장 온도: 0 내지 60 도 섭씨

GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다.


 
제품 설명

 

IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc의 PLC 부품이다. IC660TSD100 터미널 어셈블리는 IC660BBD100/101 I/O 블록과 함께 사용하도록 설계되었다.IC660BBD100 I/O 블록은 8 회로로 115 볼트 등급 AC 블록입니다. IC660BBD101 I/O 블록은 8개의 회로로 115 볼트 AC 등급 낮은 누출 I/O 블록입니다.GE Fanuc I/O 블록은 2개의 주요 부품으로 구성되어 있습니다. 전자 집합과 IC660TSD100과 같은 단말기 집합입니다.. I/O 블록의 활성 구성 요소는 전자 집합의 일부입니다. 전자 집합은 필드 배선에 장애를 일으키지 않고 변경하거나 교체 할 수 있습니다.IC660BBD100/101 I/O 블록의 모든 필드 배선 연결은 IC660TSD100 단말 장치에 만들어집니다.또한, 블록 구성 데이터는 터미널 집합의 일부인 EEPROM에 저장됩니다.

 

IC660BBD101 I/O 블록은 약 4 파운드의 무게와 약 8.8 x 3.5 x 3.9 인치를 측정합니다. 블록에서 블록 격리 등급은 1500 볼트입니다.최고 열 방출은 8 입력과 43와트 16입니다.5 와트, 8개의 출력으로 2Amp에서 작동한다. 단일 소스 운영 전압 범위는 93에서 132 볼트 AC이다. IC660BBD101 I/O 블록은 47에서 63 헤르츠 주파수를 지원한다.IC660BBD101 I/O 블록의 각 회로는 출력으로 구성될 수 있습니다., 입력 또는 트리 스테이트 입력으로 출력으로 구성 된 회로는 2 Amps RMS 출력 전류, 25 Amps 최고 출력 전류,그리고 15 또는 35 Amps 피크 블록 출력 전류 35 또는 60 °C출력 회로에서 권장되는 최소 저항 부하는 25mA이며 권장되는 최소 인덕티브 부하는 40mA입니다.IC660BBD101 I / O 블록의 작동 및 저장 온도 범위는 32에서 140도 파렌헤이트 및 -40에서 212도 파렌헤이트입니다, 각각


 기술 사양

 
브랜드 GE Fanuc
시리즈 천재 I-O
부문 번호 IC660TSD100
제품 종류 터미널 집합
호환성 IC660BBD100 및 IC660BBD101

 

작동 온도 섭씨 32~140도
저장 온도 -40~212도 파렌헤이트
I/O 블록 당 회로 수 8
지원된 메모리 EEPROM
블록 구성 데이터 저장 EEPROM에서
 

GE Fanuc IC660TSD100 터미널 어셈블리는 GE Fanuc에서 제조됩니다. 0
우리의 브랜드:
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